应用于MOEMS集成的TSV技术研究

• 作者: 徐高卫 盖蔚 罗乐 胡正高
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅通孔(TSV) 微光机电系统(MOEMS) ICP刻蚀 键合 电镀
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 所属期刊栏目: 传感器研究
• 页码范围: 649-653
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.94
• 字数: 2198字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2019.05.002

摘要

硅通孔(TSV)通过缩短互连长度可实现低延迟、低功耗等目的.对应用于微光机电系统(MOEMS)集成的TSV工艺进行了研究,通过ICP-DRIE参数优化获得了陡直TSV通孔;通过金-金键合及bottom-up法,实现了TSV的无缺陷填充;对填充后的TSV进行电学表征,测试结果表明,单个TSV的电阻平均值为0.199Ω、相邻两个TSV的电容在无偏压时为170.45 fF、TSV的漏电流在100 V时为9.43 pA,具有良好的电学特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗乐	中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室	42	263	9.0	14.0
5	徐高卫	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	10	39	4.0	6.0
6	盖蔚	中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室	2	0	0.0	0.0
7	胡正高	中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室	1	0	0.0	0.0