三维封装微系统TSV转接板技术研究

• 作者: 冉红雷 彭浩 盛晓杰 黄杰
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 关键词: 硅通孔 串扰耦合 电磁仿真 传输特性
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 可靠性设计与工艺控制
• 页码范围: 38-43
• 页数: 6页
• 分类号: TN405|TP391.99
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2019.06.001

摘要

首先,对基于TSV技术的某微系统中的TSV转接板进行了研究,建立了普通TSV转接板的电磁模型并进行了仿真分析;其次,设计了改进的双金属屏蔽结构TSV转接板,通过仿真分析发现,双金属屏蔽结构TSV转接板的电学性能显著地提升;最后,以双金属屏蔽结构TSV转接板为基础,研究了TSV转接板传输性能的影响因素.结果 表明,当f≤20 GHz时,金属屏蔽层的厚度对双金属屏蔽结构TSV转接板的传输性能影响较小,金属屏蔽层与硅衬底之间的绝缘层厚度对TSV转接板的传输性能影响较小;当10 GHz≤f≤ 20 GHz时,金属屏蔽层与RDL布线层之间的厚度与TSV转接板的传输损耗参数成反比.该研究对提高TSV结构的设计可靠性有参考作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭浩		12	5	1.0	2.0
3	黄杰		16	17	2.0	4.0
5	冉红雷		2	1	1.0	1.0
13	盛晓杰		1	0	0.0	0.0