TSV封装中互连结构的差分串扰建模研究

• 作者: 刘谋 孟真 张兴成 郭希涛 阎跃鹏
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: TSV封装 差分串扰 硅通孔 层间互连线 接地 耦合长度
• 年，卷（期）: 2017,（9）
• 页码范围: 1-6
• 页数: 6页
• 分类号: TN4
• 语种: 中文

摘要

为了研究TSV封装中互连结构之间的串扰对差分信号传输特性的影响;针对硅通孔结构提出了一种改进型的"近邻硅通孔差分串扰"RLCG寄生参数模型,进而提出了一种适用于描述接地硅通孔对近邻硅通孔串扰影响的"接地硅通孔"RLCG寄生参数模型;针对层间互连线结构提出了一种改进型的"近邻平行互连线差分串扰"RL-CG寄生参数模型,进而提出了一种"近邻垂直互连线差分串扰"RLCG寄生参数模型.在此基础之上,采用HFSS三维全波仿真方法对硅通孔和层间互连线的各种实际串扰状态进行了三维电磁场建模和分析.将RLCG模型的单端-单端串扰以及单端-差分串扰与HFSS模型的分析结果进行了对比,对比结果证明在0.1~30 GHz宽频段内本文提出的上述4种RLCG电路模型能够较为准确的描述TSV封装内互连结构之间的串扰特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孟真	中国科学院微电子研究所	14	56	5.0	7.0
2	阎跃鹏	中国科学院微电子研究所	101	427	9.0	13.0
3	刘谋	中国科学院微电子研究所	5	8	2.0	2.0
4	张兴成	中国科学院微电子研究所	6	8	2.0	2.0
5	郭希涛	中国科学院微电子研究所	2	4	2.0	2.0