基于TSV技术的CIS芯片晶圆级封装工艺研究

• 作者: 徐成翔 董西英
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 3DIC CIS TSV 晶圆级封装工艺流程 化学镀 镍滋生
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 页码范围: 151-155
• 分类号: TN4
• 语种: 中文

摘要

基于TSV技术的封装技术是目前MEMS产品、存储器、3D IC封装中的高端和热点技术.本文论述了在国内处于领先并正在量产化研究阶段的基于TSV技术的CIS芯片晶圆级封装工艺流程.通过理论分析和实验,重点研究了在封装流程中将铝刻蚀、去胶提前到金属镀覆之前的意义和所出现的镍滋生问题.研究表明,将铝刻蚀、去胶提前到金属镀覆之前可以缩短去胶时间,减少光刻胶的残留和金属镀覆层数;通过延长金属镀覆过程中每次UPW冲洗时间,在EN Ni中防止镀液结镍,并在镀锌时降低锌液的粘附性和镀锌后增加硝酸清洗步骤,即可消除镍滋生.以上研究对于提高封装效率和合格芯片率,降低成本是很有意义的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董西英		8	25	3.0	5.0
2	徐成翔		1	5	1.0	1.0