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热处理对背照式CMOS传感器信噪比影响的实验研究
热处理对背照式CMOS传感器信噪比影响的实验研究
作者:
乔凯
刘晖
焦岗成
王生凯
程宏昌
苗壮
靳川
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
EBCMOS
背照式CMOS图像传感器
热处理温度
信噪比
摘要:
基于真空光电阴极和背照式CMOS图像传感器研制了电子轰击CMOS(EBCMOS)混合型光电探测器.为了对BSI-CMOS图像传感器在EBCMOS混合型光电探测器领域的应用提供可靠性指导,对BSI-CMOS图像传感器进行了100℃~325℃的变温热处理实验,着重分析了热处理后的BSI-CMOS图像传感器的光响应输出信号值、固定模式噪声(fixed pattern noise,FPN)、随机噪声及信噪比(signal-to-noise ration,SNR)随热处理温度的变化规律.实验结果表明:随着热处理温度的升高,样品器件的光响应输出信号值基本保持不变,当温度升高至325℃时,样品器件的固定模式噪声由32 e-升高至246 e-,随机噪声由51 e-升高至70 e-,信噪比由17.76 dB降低至4.81 dB,其中信噪比的降低主要归因于固定模式噪声的增大,热处理温度达到325℃会导致BSI-CMOS图像传感器信噪比明显降低.
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内容分析
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关键词热度
相关文献总数
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文献信息
篇名
热处理对背照式CMOS传感器信噪比影响的实验研究
来源期刊
红外技术
学科
工学
关键词
EBCMOS
背照式CMOS图像传感器
热处理温度
信噪比
年,卷(期)
2019,(6)
所属期刊栏目
微光技术
研究方向
页码范围
585-590
页数
6页
分类号
TN215
字数
4853字
语种
中文
DOI
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EBCMOS
背照式CMOS图像传感器
热处理温度
信噪比
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研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
红外技术
主办单位:
昆明物理研究所
中国兵工学会夜视技术专业委员会
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-8891
CN:
53-1053/TN
开本:
大16开
出版地:
昆明市教场东路31号《红外技术》编辑部
邮发代号:
64-26
创刊时间:
1979
语种:
chi
出版文献量(篇)
3361
总下载数(次)
13
总被引数(次)
30858
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