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全控型器件串联IGBT在吸收电路中均压效果分析
全控型器件串联IGBT在吸收电路中均压效果分析
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摘要：
针对IGBT串联阀运行过程分压不均衡,从IGBT器件原理上分析了影响串联分压不均衡的因素。采用RCD无源吸收回路减缓关断过程中dv/dt以抑制过电压,从均压效果和IGBT关断时间两方面对均压电容取值进行了分析,并对实验波形从理论上进行了分析。实验结果表明在门极驱动信号同步情况下,RCD吸收回路可有效抑制关断过程过电压。
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文献信息
| 篇名 | 全控型器件串联IGBT在吸收电路中均压效果分析 | ||
| 来源期刊 | 西安铁路职业技术学院学报 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | IGBT串联 均压 RCD吸收 | ||
| 年，卷（期） | 2019,（2） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 8-12 | |
| 页数 | 5页 | 分类号 | TM86 |
| 字数 | 语种 | ||
| DOI | |||
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研究主题发展历程
节点文献
IGBT串联
均压
RCD吸收
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
西安轨道交通职业教育研究
主办单位：
西安铁路职业技术学院
出版周期：
季刊
ISSN：
CN：
开本：
出版地：
西安市国际港务区港务大道396号
邮发代号：
创刊时间：
语种：
出版文献量（篇）
1031
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