印刷氧化铝技术在黑硅PERC多晶太阳电池中的应用

• 作者: 于琨 孙亚娟 李会玲 王占友 贺美亮 郑海陆 郭明州
• 来源期刊: 太阳能
• 关键词: 印刷 氧化铝浆料 PERC 黑硅 多晶 太阳电池
• 年，卷（期）: 2019,（9）
• 所属期刊栏目: 技术产品与工程
• 页码范围: 40-43
• 页数: 4页
• 字数: 1595字
• 语种: 中文

摘要

黑硅PERC多晶太阳电池采用背抛光工艺,其背面刻蚀深度在4.0±0.2μm,在800～1050 nm的光学波长范围内,其反射率较常规刻蚀制备的黑硅多晶太阳电池提升了10％ 左右;采用氧化铝及氮化硅钝化制备的黑硅PERC多晶太阳电池,WT-2000测得其少子寿命达到33μs;开路电压提升了15.2 mV,短路电流提高了0.372 A,效率达到20.06％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于琨		3	0	0.0	0.0
2	王占友		3	0	0.0	0.0
3	郑海陆		3	0	0.0	0.0
4	郭明州		3	0	0.0	0.0
5	孙亚娟		1	0	0.0	0.0
6	贺美亮		3	0	0.0	0.0
7	李会玲		3	0	0.0	0.0