AlN纳米线阵列的光学性质及第一原理计算

• 作者: 张旭东 李志杰 杨林 王晓艳 田鸣
• 来源期刊: 沈阳工业大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化铝 PS球 纳米线阵列 半导体 化学气相沉积 扫描电子显微镜 第一原理 紫外吸收
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 506-510
• 页数: 5页
• 分类号: TB332
• 字数: 2721字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7688/j.issn.1000-1646.2019.05.05

摘要

为了制备均匀的宏观AlN纳米线阵列,采用化学气相沉积法在二次模板上成功地合成了AlN纳米线宏观阵列.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、电子能谱仪和紫外可见光光度仪测试了AlN纳米线阵列的结构、形貌和紫外发光性能.结果表明,AlN纳米线阵列分布均匀,AlN纳米线的平均直径与平均长度分别约为41 nm和1.8μm.AlN纳米线的分布密度约为5.4×107 mm-2,其覆盖率约为7.1％.AlN纳米线在150～310 nm范围内具有很好的吸光性能.利用第一原理计算得到的AlN纳米线光学性质与实验结果相符.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李志杰	沈阳工业大学理学院	36	210	8.0	13.0
2	杨林	沈阳工业大学理学院	106	471	11.0	17.0
3	张旭东	沈阳工业大学理学院	9	23	3.0	4.0
4	田鸣	沈阳工业大学理学院	7	15	2.0	3.0
5	王晓艳	沈阳工业大学理学院	1	0	0.0	0.0