热型ALD技术制备镍薄膜及其金属硅化物

• 作者: 乌李瑛 沈贇靓 王英 瞿敏妮 程秀兰
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 镍(Ni)薄膜 原子层沉积(ALD) 沉积速率 金属硅化物 互补金属氧化物半导体(CMOS)
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 486-492
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.055
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2019.06.011

摘要

金属硅化物材料具有较低的接触电阻,并且与硅材料有较好的兼容性,所以在互补金属氧化物半导体(CMOS)器件中被看作是重要的电极材料.形成镍金属硅化物的关键是镍金属单质的淀积工艺.如何在大深宽比纳米尺度的三维结构中沉积保形性好、纯度高、导电性好的镍金属单质薄膜是亟需解决的问题.利用热法原子层沉积(ALD)技术,以一种新型脒基镍前驱体[Ni(iPr-MeAMD)]2,在深宽比为10∶1的硅基底沟槽中沉积得到纯度高、保形性好、连续平滑的镍薄膜.对薄膜进行了X射线衍射(XRD)测试,为单一的α六方晶体结构.考察了不同退火温度下镍金属硅化物的形成,利用扫描电子显微镜(SEM)、能量色散谱(EDS)和XRD进行了物相相变的分析.退火温度400℃下得到NiSi相,其薄膜电阻率最低,约为34 μΩ·cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程秀兰	上海交通大学电子信息与电气工程学院	48	205	5.0	12.0
2	王英	上海交通大学电子信息与电气工程学院	30	171	7.0	12.0
3	乌李瑛	上海交通大学电子信息与电气工程学院	2	0	0.0	0.0
4	瞿敏妮	上海交通大学电子信息与电气工程学院	1	0	0.0	0.0
5	沈贇靓	上海交通大学电子信息与电气工程学院	1	0	0.0	0.0