基于FBAR谐振器件的CMOS振荡电路特性比较

• 作者: 方康明 杨海钢 赵思琦 赵湛 陈振雄 高同强
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜体声波谐振器 振荡器 低功耗 相位噪声
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 微电子、微系统与物理电子学
• 页码范围: 322-326,337
• 页数: 6页
• 分类号: TN432
• 字数: 2162字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201902.0322

摘要

薄膜体声波谐振器(FBAR)是一种薄膜体声波谐振微机电系统(MEMS)器件,其与振荡电路相结合,可以将大气环境中的湿度、气压等信息转化为高频振荡信号,作为环境参数的度量.振荡电路是FBAR检测系统的关键,针对实际应用中FBAR品质因数较低,导致频率检测电路功耗大、相位噪声特性差的特点,比较了3种频率检测方案,包括现有的Pierce振荡器、环形振荡器,以及提出的改进交叉耦合振荡器.3种振荡器分别采用不同的方法来优化其关键技术指标,通过比对,为进一步的检测系统设计提供帮助.本文所采用的FBAR谐振器品质因数为205.5,采用SMIC0.18 μm CMOS工艺设计振荡电路,所设计的3种振荡器功耗分别是26.3 mW,0.382 mW,4.32 mW,在1 MHz频偏时的相位噪声分别是-111 dBc/Hz,-152 dBc/Hz,-126 dBc/Hz,交叉耦合振荡器能满足高精确度的环境变量测量、交叉耦合结构要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵湛		54	723	10.0	26.0
5	高同强		13	20	2.0	4.0
9	陈振雄		2	1	1.0	1.0
13	赵思琦		3	1	1.0	1.0
17	方康明		2	1	1.0	1.0