碳化硅表面结构对光催化活性的影响

• 作者: 冯纪章 叶祥桔 周永生 徐卫兵 柏雷 郭腾 郭雨 陈君华
• 来源期刊: 中北大学学报（自然科学版）
• 学科: 化学
• 关键词: 碳化硅 光电催化 化学浸蚀 表面改性
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: 化工与环境工程
• 页码范围: 243-249,256
• 页数: 8页
• 分类号: O644.1
• 字数: 3181字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-3193.2019.03.009

摘要

为了提高SiC光催化性能, 采用化学浸蚀法对碳化硅表面氧化层进行减薄处理, 并对其表面形态和化学成分进行XRD、TEM、UV-vis DR、SXPS和FT-IR表征.结果表明:物相、形貌和光学带隙并没有发生改变, 而XPS和FT-IR结果则表明碳化硅表面的Si—C结构转变为Si—O—Si结构.最优浸蚀条件和偏压条件下, 即偏置电压±500V, 浸蚀时间10h和氢氧化钠浓度1mol·L-1, 紫外光催化效率和光电催化效率分别达到了45.9％和80％.与未改性碳化硅样品相比, NaOH浸蚀后SiC对光降解MB具有显著的光催化和光电催化活性, 其光催化效率分别增大了24和36倍.