"自上而下"法制备高性能GaN纳米线阵列

• 作者: 桂奇 王现英 祝元坤
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 纳米线 Ni掩膜 ICP刻蚀 湿法腐蚀 侧壁形貌
• 年，卷（期）: 2019,（9）
• 页码范围: 1-4,31
• 页数: 5页
• 分类号: TN305
• 字数: 2406字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2019.09.001

摘要

针对自下而上生长GaN纳米线的尺寸、形态、取向不易控制的问题,文中采用自上而下刻蚀的方法来制备GaN纳米线材料.以图形化的金属Ni作为掩膜对GaN进行ICP刻蚀,系统研究了刻蚀参数,主要是ICP功率以及RF功率对GaN纳米线形貌以及拉曼、PL光谱的影响,同时也对比了干法刻蚀后,有无湿法处理的影响.研究发现,当ICP功率为1000 W,RF功率为100 W时,GaN纳米线的拉曼和PL光谱强度较大,表明此功率下刻蚀的纳米线损伤较小.经过KOH浸泡30 min后,GaN纳米线的形貌得到了改善,拉曼和PL光谱强度均优于单纯的干法刻蚀,为下一步器件的制备提供了良好的材料基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王现英	上海理工大学材料科学与工程学院	22	61	5.0	7.0
2	祝元坤	上海理工大学材料科学与工程学院	9	14	2.0	3.0
3	桂奇	上海理工大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0