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摘要:
以氮化硅(Si3N4)、石墨为原料,碳化硅(SiC)为添加剂,利用Si3N4转化法制备出形貌变化的等轴状和长柱状SiC晶粒,采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜及能量色散X射线谱对产物的结构与微观形貌进行了表征,重点研究了SiC添加量对SiC形貌的影响及其影响机理.结果表明,SiC的添加有助于Si3N4转化为α-SiC,并影响其形貌和尺寸.随着SiC添加量的增加,制得的SiC晶粒由长柱状转变为等轴状,晶粒的尺寸也急剧减小.高温条件下,Si3N4首先分解为硅蒸气和氮气,硅蒸气又与石墨发生气-固反应生成小晶粒的SiC,继而发生重结晶.碳化硅的添加导致晶粒缺陷也增多,由于气态硅蒸气可在晶粒缺陷处重结晶,使SiC晶粒的取向生长得到抑制,促进了等轴状SiC晶粒的生成.
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文献信息
篇名 碳化硅添加对氮化硅转化为碳化硅晶粒形貌的影响
来源期刊 武汉工程大学学报 学科 工学
关键词 氮化硅 碳化硅 晶粒形貌 重结晶
年,卷(期) 2019,(1) 所属期刊栏目 材料科学与工程
研究方向 页码范围 60-64
页数 5页 分类号 TB321
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1674-2869.2019.01.009
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 黄志良 87 317 9.0 12.0
2 陈常连 26 82 5.0 7.0
3 徐慢 31 58 4.0 6.0
4 季家友 27 94 6.0 8.0
5 朱丽 3 0 0.0 0.0
6 梁欣 2 0 0.0 0.0
7 周诗聪 2 0 0.0 0.0
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武汉工程大学学报
双月刊
1674-2869
42-1779/TQ
大16开
武汉市江夏区流芳大道特1号,武汉工程大学流芳校区,西北区1号楼504学报编辑部收
1979
chi
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