车用SiC市场成长迅猛SiC-SBD将率先导入充电桩场景

• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 经济
• 关键词: 充电桩 SiC-SBD 市场成长 碳化硅功率器件 SBD
• 年，卷（期）: bdtxx_2019,（3）
• 页码范围: 28-29
• 页数: 2页
• 分类号: F416.63

摘要

作为第三代半导体材料的杰出代表,碳化硅因具备禁带宽度大、临界击穿场强大、热导率高等优势特性,非常适用于高温、高频以及高功率密度的应用场景。典型的比如新能源汽车领域,特斯拉最新的Model 3车型就使用了碳化硅MOSFET来提升电驱系统的工作效率以及汽车充电效率.