堆内辐照及退火对SiC片电阻率的作用研究

• 作者: 佟振峰 冯伟 刘健 宁广胜 肖宵
• 来源期刊: 中国原子能科学研究院年报
• 学科: 工学
• 关键词: 堆内辐照 中子辐照 高能中子 点缺陷 悬挂键 载流子浓度 峰值温度 弹性碰撞
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 页码范围: 116
• 页数: 1页
• 分类号: TL351
• 语种: 中文

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宁广胜	中国原子能科学研究院反应堆工程技术研究部	19	34	3.0	5.0
2	佟振峰	中国原子能科学研究院反应堆工程技术研究部	28	46	4.0	6.0
3	刘健	中国原子能科学研究院反应堆工程技术研究部	3	1	1.0	1.0
4	冯伟	中国原子能科学研究院反应堆工程技术研究部	6	11	1.0	3.0
5	肖宵	中国原子能科学研究院反应堆工程技术研究部	1	0	0.0	0.0