一种抗辐照的光电探测芯片设计

• 作者: 何林彦 凌荣勋 周枭 罗萍
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光电探测芯片 抗辐照加固 总剂量效应 跨阻放大器
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: 微电子、微系统与物理电子学
• 页码范围: 515-518,535
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 字数: 2175字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201903.0515

摘要

光电耦合器的核心模块是光电探测芯片.介绍了一种抗辐照光电探测芯片的设计,该电路基于0.5μm标准互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺研制,内部包含跨阻放大器(TIA)、基准源和比较器等模块电路,并通过电路结构和版图设计进行抗辐照加固.测试结果表明,抗总剂量能力达到200 krad(Si),同时,该芯片数据传输速率可达10 MBd,其输入高电流范围为6～18 mA.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗萍	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	74	534	11.0	20.0
2	凌荣勋	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	4	0	0.0	0.0
3	周枭	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	4	0	0.0	0.0
4	何林彦	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	0	0.0	0.0