亚微米光栅曝光系统的应用及设备关键技术研究

• 作者: 唐代飞 林禾 毛自若 蔡颖岚 邓学文
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 光刻机 亚微米光栅 DFB激光器 非线性晶体 泰伯效应 调平
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 所属期刊栏目: 先进光刻技术与设备
• 页码范围: 33-36,59
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 2821字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2019.01.007

摘要

半导体工艺中的光刻是芯片制造中最关键的工艺.DFB半导体激光器的腔体结构与普通半导体激光器的腔体结构不同, 需要制作周期光栅, 光栅周期为亚微米数量级;鉴于亚微米光栅曝光系统在半导体激光器的应用需求, 瑞士一家公司研制了一款专用于亚微米周期光栅的设备Phabler 100M DUV光刻机;本系统采用了非线性晶体的倍频效应和周期性光栅的泰伯效应.这些关键技术用较低的成本实现了极高的分辨率, 可以制作周期性光栅并达到100 nm的线条分辨率;掩模版和晶片的不平行将造成光刻线条的不均匀, 应用CCD探测器和计算机相结合的办法是做平行度的关键调试.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡颖岚		8	1	1.0	1.0
2	邓学文		3	0	0.0	0.0
3	唐代飞		2	0	0.0	0.0
4	林禾		1	0	0.0	0.0
5	毛自若		1	0	0.0	0.0