Bi2O3掺杂对ZnO压敏电阻性能的影响及其机理

• 作者: 刘建科 陈永佳
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO压敏电阻 Bi2O3掺杂 微观结构 电学性能 理论意义
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 973-978,1012
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.2+1
• 字数: 4578字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2019.06.020

摘要

采用传统电子陶瓷工艺制备了ZnO压敏电阻陶瓷,研究了Bi2 O 3的掺杂浓度对压敏陶瓷的显微结构和电学影响.利用多种表征手段对样品的性能进行分析.研究结果表明:压敏陶瓷的主晶相为铅锌矿型结构;随着Bi2 O 3浓度增大,压敏陶瓷的主要衍射峰逐渐向低角度方向偏移,同时出现明显的晶界相,且压敏陶瓷的平均晶粒尺寸呈先增大后减小趋势;当Bi2 O 3浓度为2.5mol％时,压敏陶瓷具有均匀的显微结构和较好的电学参数,此时平均晶粒尺寸D为225nm,击穿场强E 1 mA达到最小值4600V/cm,非线性系数α 达到最大值55.8,电阻在100KHz时的损耗角正切tanδ 达到极小值(约0.1),相对介电常数εr约为232.所制备的ZnO压敏陶瓷具有较好的压敏特性和较低的损耗,有利于改善ZnO基避雷器的综合性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘建科	陕西科技大学文理学院	42	125	6.0	7.0
2	陈永佳		10	2	1.0	1.0