叠烧对ZnO压敏电阻中Bi2O3挥发的控制

• 作者: 吴振红 巫欣欣 徐东 方建慧 施利毅
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO压敏电阻 叠烧 Bi2O3 电性能
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 7-9
• 页数: 3页
• 分类号: TB34
• 字数: 2285字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2009.03.003

摘要

采用高能球磨法制备ZnO压敏电阻混合粉体.用XRD、SEM对其形貌和微观结构进行了表征.研究了叠烧烧结时,不同位置ZnO压敏电阻中Bi2O3的挥发情况及对其电性能的影响.结果表明:中心位置处ZnO压敏电阻的非线性系数为31,较表层提高100%;其漏电流为6.0 μA,电位梯度为345 V/mm.Bi2O3的挥发,呈现从中心到表层逐步加剧的趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	施利毅	上海大学纳米科学与技术研究中心	226	3075	30.0	40.0
5	方建慧	上海大学理学院	72	864	17.0	25.0
6	徐东	上海大学材料科学与工程学院	16	80	5.0	8.0
7	吴振红	上海大学纳米科学与技术研究中心	5	45	4.0	5.0
8	巫欣欣	上海大学理学院	6	29	3.0	5.0