InSe/Se范德瓦尔斯异质结的可控制备及 其高响应度广光谱光电探测器

• 作者: 尚慧明 戴明金 李炳生 王月飞 胡平安 陈洪宇
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体 范德瓦尔斯异质结 光电探测器 多层结构
• 年，卷（期）: 2019,（11）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1409-1416
• 页数: 8页
• 分类号: TN304
• 字数: 1084字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20194011.1409

摘要

为了实现紫外-可见波段的高响应度/低成本的广光谱光电探测,我们制备了基于一维p型Se微米线与二维n型InSe纳米片的混维范德瓦尔斯异质结广光谱探测器.得益于Se微米线与二维层状结构InSe纳米片的高结晶质量,该器件在紫外-可见光广光谱范围都具有非常高的响应度,该器件的响应截止边为700 nm.值得指出的是,该器件在-5 V的偏压下,对460 nm的光源响应度可以达到108 mA/W,该数值比原来的Se探测器高了800％.这项研究有利于拓展我们对范德瓦尔斯异质结的认识,也为今后制备高性能的低维光电探测器提供了一种新的途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈洪宇	哈尔滨工业大学物理学院	3	0	0.0	0.0
2	王月飞	哈尔滨工业大学物理学院	3	0	0.0	0.0
3	李炳生	哈尔滨工业大学物理学院	6	2	1.0	1.0
4	尚慧明	哈尔滨工业大学化工与化学学院	1	0	0.0	0.0
8	戴明金	哈尔滨工业大学微系统与微结构制造教育部重点实验室	2	0	0.0	0.0