基于密度泛函理论的单层MoS2纳米材料气敏性能研究

• 作者: 徐帅 李运祥 王岩 臧道俊
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 单层二硫化钼 掺杂处理 第一性原理 能带结构 态密度 气敏性能
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 页码范围: 5-10
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2795字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2019.01.002

摘要

针对由于本征单层二硫化钼纳米材料气敏性能差故不能用作气敏探测的问题,文中采用铝原子替位掺杂材料表面硫原子的方法,改善了材料表面无悬挂键的固有缺陷,从而提升了气敏性.通过对基底进行形成能和电子结构的计算,发现了材料导电性能的提升并证实了掺杂处理实验的可操作性.对其表面进行气体分子的吸附计算的结果显示材料的气敏性能获得极大提升,尤其对于氨气分子,吸附能达到-2.31 eV,电子转移提升至0.38e,吸附长度减小至1.978 A,证明材料对氨气具有良好的选择性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王岩	江苏大学机械工程学院	5	18	2.0	4.0
2	臧道俊	江苏大学机械工程学院	1	1	1.0	1.0
3	徐帅	江苏大学机械工程学院	2	2	1.0	1.0