碳化硅IGBT电力电子器件封装和绝缘研究综述

• 作者: 戴超 陈向荣
• 来源期刊: 浙江电力
• 学科: 工学
• 关键词: 宽禁带 电力电子器件 封装 绝缘 老化
• 年，卷（期）: 2019,（10）
• 所属期刊栏目: 电力系统
• 页码范围: 26-33
• 页数: 8页
• 分类号: TM46
• 字数: 5653字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19585/j.zjdl.201910005

摘要

基于传统Si(碳)材料的制约和宽禁带材料SiC(碳化硅)的大力发展,对电力电子的发展、 电力电子器件的结构和封装工艺、 电力电子器件的检测技术以及电力电子绝缘材料的研究进行了梳理.主要的检测技术是局部放电和电树枝测量技术,而对于材料介电性能的研究方法包括击穿强度、 介电常数、 电导率、 时域介电弛豫等.对于材料理化性能主要是采用扫描电镜、 超声波扫描显微镜、 傅里叶红外光谱、 热失重、 差式扫描热分析等研究手段.