Bi1.5Zn1.0 Nb1.5O7栅绝缘层的SiO2修饰对ZnO-TFTs性能的影响

• 作者: 叶伟 崔立堃 常红梅
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiO2薄膜 氧化锌薄膜晶体管 修饰层 Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7薄膜 射频磁控溅射
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 1344-1351
• 页数: 8页
• 分类号: TN321.5
• 字数: 3631字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2019.06.023

摘要

具有高介电常数的栅绝缘层材料存在某种极化及耦合作用,使得ZnO-TFTs具有高的界面费米能级钉扎效应、大的电容耦合效应和低的载流子迁移率.为了解决这些问题,本文提出了一种使用SiO2修饰的Bi1.5 Zn1.0 Nb1.5 O7作为栅绝缘层的ZnO-TFTs结构,分析了SiO2修饰对栅绝缘层和ZnO-TFTs性能的影响.结果表明,使用SiO2修饰后,栅绝缘层和ZnO-TFTs的性能得到显著提高,使得ZnO-TFTs在下一代显示领域中具有非常广泛的应用前景.栅绝缘层的漏电流密度从4.5×10-5 A/cm2降低到7.7×10-7 A/cm2,粗糙度从4.52nm降低到3.74nm,ZnO-TFTs的亚阈值摆幅从10V/dec降低到2.81V/dec,界面态密度从8×1013 cm-2降低到9×1012 cm-2,迁移率从0.001cm2/(V·s)升高到0.159cm2/(V·s).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	常红梅	陕西理工大学机械工程学院	15	28	3.0	5.0
2	叶伟	陕西理工大学机械工程学院	3	3	1.0	1.0
3	崔立堃	陕西理工大学机械工程学院	7	4	1.0	2.0