CMOS图像传感器光导通路的工艺开发

• 作者: 周伟 顾学强
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路制造 CMOS图像传感器 像素单元 光导通路 灵敏度 暗电流
• 年，卷（期）: 2019,（7）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 22-24
• 页数: 3页
• 分类号: TN405
• 字数: 1662字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2019.07.007

摘要

开发了CMOS图像传感器的光导通路工艺.通过使用优化的沟槽刻蚀工艺和光导通路线宽,在保持暗电流不变的情况下大幅提升了像素单元的灵敏度.研究发现,光导通路线宽直接影响暗电流的大小,线宽过大造成的金属玷污直接影响像素单元的暗电流.综合考虑灵敏度、暗电流和工艺偏差,光导通路线宽设置为4μm,其在保证暗电流不增加的情况下提升30％左右的灵敏度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周伟		3	8	1.0	2.0
2	顾学强		2	1	1.0	1.0