晶化率及膜厚对薄膜硅负极循环性能的影响

• 作者: 刘强 吕嘉欣 吴爱民 邓文昕 黄昊
• 来源期刊: 电源技术
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜硅 负极材料 晶化率 薄膜厚度 循环性能
• 年，卷（期）: 2019,（9）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 1412-1414,1457
• 页数: 4页
• 分类号: TM912
• 字数: 4298字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-087X.2019.09.002

摘要

采用微波等离子体增强化学气相沉积技术和磁控溅射技术制备不同晶化率和不同厚度的硅薄膜负极材料,并通过系列测试来研究晶化率和薄膜厚度对硅薄膜负极材料循环性能的影响.结果 表明随着晶化率降低,硅薄膜循环稳定性得到提高,纯非晶硅薄膜具有更加优异的循环稳定性;较薄的硅薄膜在脱嵌锂过程中,循环应力较小,薄膜仅在应力作用下被分裂成几十微米大小的岛结构,薄膜与铜基体之间粘接性维持较好,保持有效的电接触.同时分离的岛结构也有利于循环过程中进一步释放硅负极的体积膨胀,使得整体结构保持完整和稳定,薄膜呈现出更加良好的循环性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄昊	大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性教育部重点实验室	40	103	5.0	9.0
2	吴爱民	大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性教育部重点实验室	38	263	10.0	15.0
3	刘强	大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性教育部重点实验室	15	136	7.0	11.0
4	吕嘉欣	大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0
5	邓文昕	大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0