基于电导线性技术的高线性折叠CMOS LNA

• 作者: 李彦锋 霍炜
• 来源期刊: 微型电脑应用
• 学科: 工学
• 关键词: 输入三阶截止点 线性度 低噪声放大器 低供电电压 跨导非线性抵消
• 年，卷（期）: 2019,（11）
• 所属期刊栏目: 开发应用
• 页码范围: 137-140
• 页数: 4页
• 分类号: TG409
• 字数: 1662字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-757X.2019.11.043

摘要

给出低噪声放大器(LNA)设计策略,即使在非常低的电源电压下设计的LNA也可以取得卓越的性能.在高电源电压下,漏极电导非线性可以忽略,但是在低电源电压下,漏极电导非线性对LNA线性度的影响不可忽略.因而,采用多栅晶体管技术线性化跨导,并且利用LC折叠共源共栅结构来得到高的漏极电导线性度.基于0.13 μm CMOS工艺对所提出的900 MHz LNA进行设计,测试结果表明,在0.6V电源供电,1.26 MW功耗消耗下,LNA取得了15 dB的增益,1.74 dB的噪声系数,3.8 dBm的输入三阶截止点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	霍炜	西安工程大学计算机科学学院	2	1	1.0	1.0
2	李彦锋		1	0	0.0	0.0