一种高线性化的CMOS共源共栅低噪声放大器

• 作者: 孙玲玲 文进才 李寿辉
• 来源期刊: 杭州电子科技大学学报（自然科学版）
• 关键词: 复合式金属氧化物半导体 共源共栅 低噪声放大器 线性化 3阶输入互调截点 3阶互调失真
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 页码范围: 37-40
• 页数: 4页
• 分类号: TN401
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9146.2008.06.010

摘要

该文提出了一种由调谐电感和PMOS管构成的3阶互调失真吸收单元来提高线性度.它通过吸收输出端上3阶互调失真吸收单元电流信号来提高CMOS LNA的线性度.调谐该线性化单元中的电感可减小源简并电感型共源放大器中2阶非线性引起的3阶互调失真.采用SMIC 0.18 μmRF CMOS标准工艺,设计了线性化的CMOS Cascode LNA和传统结构做对比.