InP基近红外单光子雪崩光电探测器阵列

• 作者: 何婷婷 刘凯宝 杨晓红 王晖
• 来源期刊: 激光与光电子学进展
• 学科: 工学
• 关键词: 探测器 雪崩光电二极管 阵列 红外波段 三维成像
• 年，卷（期）: 2019,（22）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 1-12
• 页数: 12页
• 分类号: TN36
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/LOP56.220001

摘要

单光子雪崩光电探测器(SPAD)具有雪崩增益大、响应速度快、探测效率高、易于集成的特点.SPAD阵列器件可进行弱光三维成像,在生物化学、量子通信、激光雷达等领域具有重要应用.因此开展SPAD器件及阵列探测技术的研究具有非常重要的意义.给出了近红外InGaAs/InP SPAD单元工作原理和阵列结构性能,对暗计数率、探测效率、后脉冲等主要影响因素和器件优化方向进行总结,概述了近年来SPAD阵列器件的主要技术方案,给出了串扰来源和消除方法,并对相关研究单位的技术与结果进行对比.