LV/HV Twin-Well BCD[B]技术(1)芯片与制程剖面结构

• 作者: 潘桂忠
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路制造 偏置栅结构 LV/HVTwin-WellBCD[B]芯片结构,制程剖面结构
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 23-27
• 页数: 5页
• 分类号: TN405
• 字数: 4178字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2019.01.007

摘要

LV/HV Twin-Well BCD[B]技术(1)能够实现低压5 V与高压100～700 V(或更高)兼容的BCD工艺.为了便于高低压MOS器件兼容集成,采用源区为硼磷双扩散形成沟道的具有漂移区的偏置栅结构的HV LDMOS器件.改变漂移区的长度,宽度,结深度以及掺杂浓度等可以得到不同的高电压.采用MOS集成电路芯片结构设计、工艺与制造技术,依该技术得到了芯片制程结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	潘桂忠		19	50	4.0	6.0