近红外Mg2Si/Si异质结光电二极管的结构设计与仿真

• 作者: 史娇娜 王坤 肖清泉 谢泉 陈豪
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: Mg2 Si/Si异质结 光谱响应 暗电流密度 界面态密度
• 年，卷（期）: 2019,（20）
• 所属期刊栏目: 无极非金属及其复合材料
• 页码范围: 3358-3362
• 页数: 5页
• 分类号: TN302
• 字数: 2831字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11896/cldb.19030017

摘要

本工作设计了近红外Mg2 Si/Si异质结光电二极管的器件结构,并采用Silvaco-TCAD对器件主要性能参数(包括光谱响应、暗电流等)进行模拟仿真,优化了器件的结构参数和工艺参数.仿真结果表明:所设计的pin型光电二极管在波长为0.6～1.5μm时比pn型光电二极管具有更高的响应度,峰值波长为1.11μm时,响应度最高达到0.742 A·W-1,1.31μm处响应度为0.53 A·W-1.pin型光电二极管的暗电流密度较pn型光电二极管略大,约为1×10-6 A·cm-2.Mg2Si/Si异质结中间界面态密度也不宜超过1×1011 cm-2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢泉	贵州大学大数据与信息工程学院	133	486	12.0	17.0
2	肖清泉	贵州大学大数据与信息工程学院	40	199	7.0	13.0
3	王坤	贵州大学大数据与信息工程学院	16	71	4.0	8.0
4	陈豪	贵州大学大数据与信息工程学院	1	0	0.0	0.0
5	史娇娜	贵州大学大数据与信息工程学院	1	0	0.0	0.0