光子重吸收对硅片的光载流子辐射特性影响的理论研究

• 作者: 刘卫国 刘蓉 巩蕾 李亚清 王利国 王谦
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 光载流子辐射 光子重吸收 电子输运参数 自由载流子吸收 硅片
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 251-261
• 页数: 11页
• 字数: 6613字
• 语种: 中文

摘要

光载流子辐射技术已广泛应用于半导体材料性能的表征,本文基于一种包含光子重吸收效应的光载流子辐射理论模型,对单晶硅中光子重吸收效应对光载流子辐射信号的影响进行了详细的理论分析.分析结果表明,光子重吸收效应对光载流子辐射信号的影响主要取决于样品掺杂浓度、过剩载流子浓度和过剩载流子的分布.由于过剩载流子浓度及其分布与材料电子输运特性密切相关,电子输运参数的变化将导致光子重吸收效应的影响随之变化.进一步分析了光子重吸收效应对具有不同电子输运特性的样品的电子输运参数的影响,并提出了减小光子重吸收效应影响的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘卫国	西安工业大学光电工程学院	112	575	12.0	17.0
2	刘蓉	西安工业大学光电工程学院	12	35	3.0	5.0
3	巩蕾	西安工业大学光电工程学院	20	53	5.0	6.0
4	王利国	西安工业大学光电工程学院	4	1	1.0	1.0
5	李亚清	西安工业大学光电工程学院	4	1	1.0	1.0
6	王谦	西安工业大学光电工程学院	5	1	1.0	1.0