宽长比对CMOS反相器延迟时间影响的分析

• 作者: 张照锋 董海青
• 来源期刊: 电子测试
• 关键词: 宽长比 反相器 延迟时间
• 年，卷（期）: 2019,（17）
• 所属期刊栏目: 理论与算法
• 页码范围: 46-47
• 页数: 2页
• 字数: 1324字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-8519.2019.17.016

摘要

延迟时间是集成电路中的重要参数,特别是在高速高频集成电路中,本文主要研究CMOS器件宽长比对基本单元反相器传输延迟时间的影响,通过改变MOS晶体管的宽长比,来分析MOS晶体管沟道宽度对延迟时间的具体影响,从而为后续高速集成电路基本单元的设计打下基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张照锋		40	50	4.0	5.0
2	董海青		17	41	3.0	6.0