碳化硅电热元件涂层的制备及性能分析

• 作者: 张志楠
• 来源期刊: 中国战略新兴产业(理论版)
• 学科: 经济
• 关键词: 碳化硅电热元件 涂层 制备 性能MoSi2-Si3N4
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 页码范围: 0165-0165
• 页数: 1页
• 分类号: F

摘要

用传统反应烧结制备的碳化硅电热元件,其使用温度一般低于 1350℃,重结晶碳化硅电热原件的最高使用温度达 1500℃,而热端具有抗氧化涂层的硅碳棒使用温度可达 1600℃。但是,重结晶工艺的烧结机制是蒸发凝聚,在烧结过程中没 有收缩,孔隙率较高。结果是,国产重结晶碳化硅电热原件的密度一直低于 2.5 g/cm 3 ,成品的气孔率高达 25%。重结晶硅碳 棒具有很多相互连通的气孔,在高温环境下氧气通过连通的气孔极易将其氧化。

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