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平板式外延炉大尺寸硅外延层的均匀性调控
平板式外延炉大尺寸硅外延层的均匀性调控
作者:
闫秀锋
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
平板式外延炉
硅外延层
均匀性
调控举措
摘要:
硅外延层是高端电子产品中常用的技术,主要是通过化学气相沉淀法在硅抛光过程中,在衬底位置生长的一层单晶硅薄膜,此类薄膜可根据电子器件要求对厚度与掺杂浓度进行精细化调控,并且结晶质量与完整性通常较好,能够为高端电子产品的生产质量提供更好的保障.而从外延层质量管控与器件参数角度来看,怎样保持大尺寸外延层的均匀性、可靠性、一致性也成了现代电子器件审核标准中不可忽视的要素,如何提升外延层性能也需要得到技术人员的关注.
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硅外延层
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厚度
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均匀性
缺陷
平板式外延炉大尺寸硅外延层的均匀性调控
平板式外延炉大尺寸
硅外延层
均匀调控
Ti/Fe(001)体系异质外延生长初期外延岛尺寸作用机制探究
嵌入原子方法
分子动力学
异质外延
硅基锗硅驰豫衬底的外延生长
硅基锗硅薄膜
驰豫衬底
外延生长
内容分析
文献信息
引文网络
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期刊文献
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相关文献总数
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文献信息
篇名
平板式外延炉大尺寸硅外延层的均匀性调控
来源期刊
中国高新区
学科
关键词
平板式外延炉
硅外延层
均匀性
调控举措
年,卷(期)
2019,(20)
所属期刊栏目
机械化工
研究方向
页码范围
110
页数
1页
分类号
字数
2049字
语种
中文
DOI
五维指标
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闫秀锋
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节点文献
平板式外延炉
硅外延层
均匀性
调控举措
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
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主办单位:
中国技术创业协会
科技部火炬高技术产业开发中心
出版周期:
半月刊
ISSN:
1671-4113
CN:
11-5968/N
开本:
大16开
出版地:
湖北省武汉市珞瑜路546号1401室
邮发代号:
38-392
创刊时间:
2001
语种:
chi
出版文献量(篇)
19386
总下载数(次)
47
总被引数(次)
8734
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