GaAs/InGaAs异质结构纳米线定向生长的研究进展

• 作者: 乔忠良 彭鸿雁 曲轶 曾丽娜 李再金 李林
• 来源期刊: 光电子
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体 纳米线 外延生长
• 年，卷（期）: gdz_2020,（1）
• 页码范围: 8-17
• 页数: 10页
• 分类号: TN3

摘要

GaAs/InGaAs异质结构纳米线具有直接带隙、载流子迁移率高等优点,在半导体激光器、场效应晶体管、太阳能电池及红外光探测器等光电子器件领域具有广阔的应用前景,受到国内外广泛关注。目前,研究机构大多数基于纳米图形的纳米线定向生长研究,但由于图形的纳米尺寸效应,导致GaAs/InGaAs柱状纳米线生长质量变差。本文介绍了GaAs/InGaAs异质结构纳米线的性能优势和发展现状,综述了GaAs/InGaAs异质结构纳米线定向外延生长及其发光特性的研究进展,讨论了其技术难题及发展前景。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭鸿雁		17	1	1.0	1.0
2	曲轶		18	7	2.0	2.0
3	曾丽娜		12	0	0.0	0.0
4	李林		12	0	0.0	0.0
5	李再金		12	0	0.0	0.0
6	乔忠良		9	0	0.0	0.0