一种用于GSM/WCDMA/LTE的宽带功率放大器

• 作者: 刘蕾蕾 潘茂林
• 来源期刊: 南京邮电大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 功率放大器 偏置电路 射频前端
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 所属期刊栏目: 通信与电子
• 页码范围: 62-65
• 页数: 4页
• 分类号: TN431.1
• 字数: 1659字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14132/j.cnki.1673-5439.2020.02.010

摘要

基于GaAs HBT工艺设计了一款高线性、全集成的宽带功率放大器(PA).芯片采用倒扣的装配方式.该功率放大器包括驱动级和功率级,工作频率为1.71～2.05 GHz.通过多级匹配增大带宽,实现了对GSM/WCDMA/LTE中多个上行频段的覆盖.测试结果表明,在整个工作频带内功率增益约为30 dB.工作电压为3.5V,输出功率为28 dBm,采用10 MHz 50RB QPSK LTE信号测试时,功率附加效率(PAE)约为37％,邻信道泄漏比(ACLR)约为-38 dBc.芯片尺寸为0.755 mm×0.8 mm.