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摘要:
一维碳化硅纳米材料不但具有块体SiC材料的高强度、高硬度、高耐磨性、耐腐蚀性、抗氧化性、高温化学稳定性等优异的综合性能,还具有宽禁带、高热导率、高击穿场强、高电子迁移率等特殊性能,因而备受关注.本文介绍了其微观结构、性能、应用、生长机理和制备方法;并对一维SiC纳米材料研究工作进行一定的展望.
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Zeta电位
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 一维碳化硅纳米材料的研究
来源期刊 高科技纤维与应用 学科 工学
关键词 SiC 纳米材料 生长机制
年,卷(期) 2020,(2) 所属期刊栏目 分析研究
研究方向 页码范围 49-51
页数 3页 分类号 TG14
字数 2213字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 贾先 西安思源学院工学院 39 112 5.0 10.0
2 王阳阳 西安思源学院工学院 12 17 3.0 3.0
3 贾晨 12 10 2.0 3.0
4 杨建锋 西安交通大学金属材料强度国家重点实验室 48 283 10.0 14.0
5 袁媛 西安思源学院工学院 9 5 2.0 2.0
传播情况
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引文网络
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二级参考文献  (64)
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节点文献
SiC
纳米材料
生长机制
研究起点
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期刊影响力
高科技纤维与应用
双月刊
1007-9815
11-3926/TQ
大16开
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1976
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