内置触发方式下单级FLTD触发脉冲参数及影响因素

• 作者: 孙凤举 王志国 石琦 邱爱慈 魏振宇
• 来源期刊: 西安交通大学学报
• 关键词: 单级FLTD 内置触发方式 电磁模型 触发脉冲 影响因素
• 年，卷（期）: 2020,（6）
• 页码范围: 51-57
• 页数: 7页
• 分类号: TN782
• 语种: 中文
• DOI: 10.7652/xjtuxb202006007

摘要

为了研究快放电直线型变压器驱动源(FLTD)内置触发方式下触发脉冲的波形参数及其影响因素,利用有限积分法(FIT)仿真软件,建立单级FLTD场路仿真模型,获得了到达各主支路开关的触发脉冲参数及其影响因素,并在1 MA FLTD实验平台上进行了验证.仿真结果表明:内置触发方式下,触发支路电感由100 nH增大至350 nH时,触发脉冲前沿由49.3 ns增大至60.1 ns;在触发支路置地电阻小于200 Ω时,触发脉冲幅值随电阻增大而增大,在电阻高于200 Ω后,置地电阻不影响触发脉冲幅值;角向传输线特征阻抗在58.0～76.5 Ω范围变化时对触发脉冲波形参数影响较小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙凤举	西北核技术研究院强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室	50	380	12.0	15.0
2	邱爱慈	西安交通大学电气工程学院	57	370	12.0	15.0
3	王志国	西安交通大学电气工程学院	11	37	4.0	5.0
7	石琦	西安交通大学电气工程学院	4	8	2.0	2.0
8	魏振宇	西安交通大学电气工程学院	1	0	0.0	0.0