半导体晶圆ENIG/ENEPIG产品设计考量

• 作者: 刘勇
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体晶圆 化学镍金/镍钯金 缺陷分析 产品设计考量
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 46-52
• 页数: 7页
• 分类号: TQ153.1
• 字数: 4184字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.0406

摘要

通过化学自催化反应在半导体晶圆I/O铝或铜金属垫上沉积具有可焊接性的镍金/镍钯金层,此工艺已在MOSFET、IGBT、RFID、SAW Filter等产品上得到广泛应用.着重阐述了在新产品设计和工程评估阶段,对于晶圆产品本身应予以考量的因素,如钝化层种类及厚度,I/O金属垫的成分及结构,切割轨道上金属图形的大小及钝化层的覆盖,不同I/O pad的电势等.其中一些因素导致的问题会直接影响化学镍金/镍钯金后产品的性能应用.在化镀工艺过程中,要充分了解产品本身结构以及可能造成的相应缺陷及问题,并且应综合考虑这些因素的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘勇		1	0	0.0	0.0