第一性原理研究B掺杂Mn4Si7的电子结构和光学性质

• 作者: 张晋敏 王坤 王立 谢泉 贺腾 钟义
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理 掺杂 高锰硅Mn4Si7 电子结构 光学性质
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 296-301
• 页数: 6页
• 分类号: O734
• 字数: 3201字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2020.02.022

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,对未掺杂及B掺杂Mn4Si7的电子结构和光学性质进行理论计算.研究结果表明,未掺杂Mn4 Si7是间接带隙半导体,其禁带宽度为0.786 eV,B掺杂后其禁带宽度下降为0.723 eV.B掺杂Mn4 Si7是p型半导体材料.未掺杂Mn4 Si7在近红外区的吸收系数达到105 cm-1,B掺杂引起Mn4 Si7的折射率、吸收系数、反射系数及光电导率增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张晋敏	贵州大学大数据与信息工程学院贵州大学新型光电子材料与技术研究所	47	261	7.0	15.0
2	王立	贵州大学大数据与信息工程学院贵州大学新型光电子材料与技术研究所	9	6	2.0	2.0
3	王坤	贵州大学大数据与信息工程学院贵州大学新型光电子材料与技术研究所	16	71	4.0	8.0
4	贺腾	贵州大学大数据与信息工程学院贵州大学新型光电子材料与技术研究所	4	0	0.0	0.0
5	钟义	贵州大学大数据与信息工程学院贵州大学新型光电子材料与技术研究所	1	0	0.0	0.0