基于桥式电路的氮化镓开关损耗测试

• 作者: 张雅静 李建国 童亦斌 罗欣儿
• 来源期刊: 电源学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高频 氮化镓 损耗测量 寄生参数
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: 宽禁带器件应用技术专题
• 页码范围: 24-27
• 页数: 4页
• 分类号: TM464
• 字数: 1473字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2020.4.24

摘要

与传统硅基器件相比,氮化镓GaN(gallium nitride)功率器件具有更快的开关速度,更小的开关损耗并且无反向恢复损耗,这使得氮化镓器件在高频和高功率密度应用场合具有突出优势.高频工况下高精度测试方法是目前研究的热点,其中双脉冲测试DPT(double pulse test)电路是器件动态性能测量的常用方法.然而,该方法必须采用漏极电流探头进行采样,而同轴分流器电流探头极大地增加了回路寄生电感,这与氮化镓实际工况差距非常大,将影响开关特性和损耗测试的准确性.提出了一种适用于桥式氮化镓电路的新颖测试方法,该方法无需采用无感电阻即可测量氮化镓器件的开关损耗.搭建了基于氮化镓的降压变换器进行实验,验证了该方法的有效性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	童亦斌	北京交通大学国家能源主动配电网技术研发中心	105	1650	21.0	38.0
2	李建国	北京信息科技大学自动化学院	10	0	0.0	0.0
3	张雅静	北京信息科技大学自动化学院	7	1	1.0	1.0
4	罗欣儿		1	0	0.0	0.0