CVD单晶金刚石[NV]和[SiV]缺陷的抑制与消除

• 作者: 吴啸 吴晓磊 常豪锋 徐帅 赵延军 郭兴星
• 来源期刊: 金刚石与磨料磨具工程
• 学科: 工学
• 关键词: CVD单晶金刚石 PL光谱 [NV]色心 [SiV]色心 缺陷
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 页码范围: 42-44
• 页数: 3页
• 分类号: TQ164
• 语种: 中文
• DOI: 10.13394/j.cnki.jgszz.2020.5.0007

摘要

反应气体中添加体积分数0.001％的N2,研究CVD金刚石PL(photoluminescence spectroscopy,PL)光谱发现,与N杂质相关的[NV]0与[NV]-和与Si杂质相关的[SiV]是金刚石中的主要杂质缺陷.经过高温高压(high temperature and high pressure,HPHT)处理后,[NV]0峰的强度被削弱,[NV]-峰的强度被增强,[SiV]峰的强度被显著增强,并新出现了[SiV]-宽峰.反应气体中N2体积分数降至0.0001％并添加0.5％的O2后,[NV]0与[NV]-峰消失,O2升高至1％后[SiV]峰强度出现了明显降低,继续升高O2含量,[SiV]峰强度下降趋势变缓,这些现象证明了添加少量O2有助于CVD金刚石中N和Si杂质缺陷的抑制与消除.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵延军		16	118	7.0	10.0
2	徐帅		3	0	0.0	0.0
3	郭兴星		4	0	0.0	0.0
4	吴啸		2	0	0.0	0.0
5	常豪锋		2	0	0.0	0.0
6	吴晓磊		1	0	0.0	0.0