CIGSeS薄膜太阳电池的H2S硫化研究

• 作者: 刘正新 孟凡英 王宪 韦小庆 韩安军
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: CIGSeS H2S 硫化 薄膜 太阳电池 开路电压
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 页码范围: 37-43
• 页数: 7页
• 分类号: TM914.4+2
• 语种: 中文

摘要

采用H2S硫化的方法制备铜铟镓硒硫(Cu(In1-xGax)(Se1-ySy)2,CIGSeS)吸收层,研究硫化温度和时间对CIGSeS吸收层和电池性能的影响.结果 表明,550～580℃硫化处理时,电池的开路电压得到有效提升,但硫化温度为600℃时,薄膜表面出现局部开裂现象,电池短路电流和效率严重下降.硫化处理可促进铜铟镓硒(Cu(In1-xGa,)Se2,CIGSe)吸收层内Ga元素向表面扩散,Ga和S的共同作用可有效提高吸收层表面带隙和太阳电池的开路电压.最终,采用580℃硫化30 min条件下制备的太阳电池开路电压比硫化处理前提高约80 mV,填充因子提高约5％,最高效率为13.69％,有效面积效率为14.62％.而采用580℃硫化10 min后再降温硫化20 rmin的变温硫化工艺不仅可减少热预算,而且可制备出同580℃恒温硫化30 min时转换效率相当的太阳电池.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孟凡英	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	6	16	3.0	4.0
2	刘正新	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	12	6	2.0	2.0
3	王宪	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	4	8	2.0	2.0
4	韩安军	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	2	0	0.0	0.0
5	韦小庆	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	1	0	0.0	0.0