Bi2Se3纳米片生长及晶体管制备

• 作者: 俞金玲 王雨濛 陈磊
• 来源期刊: 福州大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: Bi2Se3纳米片 拓扑绝缘体 晶体管 化学气相沉积法
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 页码范围: 591-595
• 页数: 5页
• 分类号: O472.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.7631/issn.1000-2243.19571

摘要

通过化学气相沉积方法,在云母衬底上制备高质量的Bi2 Se3纳米片.采用湿法转移技术,将纳米片转移到SiO2衬底上.用光刻技术制备基于单个Bi2 Se3纳米片的晶体管,并施加底栅电压,对Bi2 Se3纳米片晶体管进行有效调控.研究表明:当Bi2 Se3纳米片与电极之间形成欧姆接触时,底栅的调控效果较好;而当Bi2 Se3纳米片与电极之间形成肖特基接触时,底栅的调控效果较差.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈磊		27	99	6.0	9.0
2	俞金玲		2	2	1.0	1.0
3	王雨濛		1	0	0.0	0.0