硼氮掺杂C64-石墨炔材料几何及电子结构第一性原理

• 作者: 李晖 辛子华
• 来源期刊: 上海大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理 替代掺杂 电子结构
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 816-823
• 页数: 8页
• 分类号: O469
• 语种: 中文
• DOI: 10.12066/j.issn.1007-2861.2091

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,对新型碳单原子层平面结构 C64-石墨炔的硼、氮掺杂结构进行研究.当硼原子分别替代C64-石墨炔中碳六元环和四元环上的一个碳原子时,获得稳定的四元环位B掺杂C64-石墨炔结构和六元环位B掺杂C64-石墨炔结构(简称B4环掺杂结构和B6环掺杂结构).两种结构仍然表现为二维平面结构,晶格常数分别为9.378×10-10和9.383× 10-10 m;当硼和氮原子交替替代C64-石墨炔中四元环和碳链上的碳原子时,得到链位B,N掺杂C64-石墨炔稳定平面结构(简称BN链掺杂结构),晶格常数为9.393× 10-10 m.单个硼原子掺杂的B4环掺杂结构和B6环掺杂结构均因掺杂使体系由半导体转变为金属.硼、氮原子交替取代的BN链掺杂结构是带隙为2.56 eV的半导体.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李晖		10	15	2.0	3.0
2	辛子华		6	7	1.0	2.0