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摘要:
室温工作将为光子型红外探测开辟更广泛的应用,系统整理和分析了从近红外到长波红外的III–V族及Ⅱ-Ⅵ族半导体探测器的室温性能,讨论不同材料体系和器件结构的室温暗电流机制.其中InAs/GaSb等二类超晶格的短周期带间级联结构以及HgCdTe抑制俄歇过程的方案在提升中长波红外室温探测性能方面都显示出了独特的优势.这些电子学结构的设计与近年来亚波长光子结构增强耦合、降低暗电流的新进展相结合,有望实现近室温工作的高灵敏红外探测.
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内容分析
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文献信息
篇名 室温半导体红外光电探测器研究进展
来源期刊 红外与毫米波学报 学科 工学
关键词 室温红外光电探测 暗电流机制 带间级联 碲镉汞 亚波长光子结构
年,卷(期) 2020,(5) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 583-594
页数 12页 分类号 TN215
字数 语种 中文
DOI 10.11972/j.issn.1001-9014.2020.05.008
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研究主题发展历程
节点文献
室温红外光电探测
暗电流机制
带间级联
碲镉汞
亚波长光子结构
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
红外与毫米波学报
双月刊
1001-9014
31-1577/TN
大16开
上海市玉田路500号
4-335
1982
chi
出版文献量(篇)
2620
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3
总被引数(次)
28003
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