Pb掺杂的一维铁磁半导体CrSbSe3的电磁性能研究

• 作者: 公祥南 周小元 彭义 柴一晟 王爱峰 顾豪爽
• 来源期刊: 湖北大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 单晶 CrSbSe3 电阻率 饱和磁矩
• 年，卷（期）: 2020,（6）
• 所属期刊栏目: 化学化工与材料科学
• 页码范围: 681-686
• 页数: 6页
• 分类号: O731
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2375.2020.06.015

摘要

采用自助熔剂法生长高质量准一维CrSbSe3单晶材料,研究Pb掺杂对产物晶体结构和电磁特性的影响.结果表明,实验所得产物是正交结构的一维针状铁磁单晶材料.由于杂质能级随温度升高而激发,通过少量Pb掺杂可在100～300 K温度范围内对单晶的电阻率进行显著调控.同时,掺杂后的单晶在磁场平行晶轴b方向和垂直晶轴b方向的饱和磁矩和饱和磁化强度均得到提升,显示出晶体在磁学中的各向异性.