类阳极氧化铝纳米结构LED的研究

• 作者: 彭静 徐智谋 李谦 江睿 王伟哲 郑雪
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 GaN LED 准光子晶体 阳极氧化铝(AAO)模板
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 561-566
• 页数: 6页
• 分类号: TN383
• 字数: 2673字
• 语种: 中文
• DOI: 10.15541/jim20190246

摘要

LED具有高效、节能和环保等优势,广泛应用于照明领域,提高LED的发光效率一直是该领域的研究难点与热点.为了降低GaN材料与空气界面的全反射现象,提高光提取效率,本研究探讨了类阳极氧化铝AAO(Anodic aluminum oxide)纳米结构LED器件的制备和性能.通过电感耦合等离子体(Inductively coupled plasma,ICP)刻蚀工艺的调控,在p-GaN层表面制备了大面积有序孔洞纳米结构阵列,可获得孔径250～500 nm,孔深50～150 nm的准光子晶体结构,从而大幅提高了LED的发光强度,其中孔径400 nm、深度150 nm的纳米阵列LED相比于没有纳米阵列的LED发光强度提高达3.5倍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭静	武汉科技大学理学院	16	52	4.0	6.0
2	李谦	华中科技大学光学与电子信息学院	6	21	3.0	4.0
3	徐智谋	华中科技大学光学与电子信息学院	21	120	8.0	9.0
4	郑雪	华中科技大学光学与电子信息学院	7	41	3.0	6.0
5	江睿	华中科技大学光学与电子信息学院	1	0	0.0	0.0
6	王伟哲	华中科技大学光学与电子信息学院	1	0	0.0	0.0