不同钝化膜对InSb光伏探测器性能影响研究

• 作者: 孙祥乐 尚发兰 杨文运 杨瑞宇 肖婷婷 赵宇鹏 陈冬琼 黎秉哲 龚晓霞
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: 钝化膜 InSb探测器 暗电流 固定电荷
• 年，卷（期）: 2020,（10）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 953-957
• 页数: 5页
• 分类号: TN215|TN304.12
• 语种: 中文

摘要

采用3种不同钝化膜制备InSb探测器,测试不同周长/面积比二极管芯片的I-V特性曲线,通过对偏置电压为-0.1 V时的暗电流密度进行比较,分析了表面漏电流对InSb探测器性能的影响.实验结果表明SiO2+SiNx复合膜能大幅度降低器件表面暗电流,C-V测试结果也表明复合钝化膜能大幅度降低了界面固定电荷.将复合钝化膜应用到128×12815μm InSb焦平面探测器上,探测器芯片优值因子R0A≥5×104Ω·cm2,较之前(R0A≈5×103Ω·cm2)得到了极大改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖婷婷	中国科学院昆明物理研究所	4	6	2.0	2.0
2	赵宇鹏	中国科学院昆明物理研究所	4	24	3.0	4.0
3	龚晓霞	中国科学院昆明物理研究所	2	0	0.0	0.0
4	杨瑞宇	中国科学院昆明物理研究所	2	0	0.0	0.0
5	黎秉哲	中国科学院昆明物理研究所	1	0	0.0	0.0
6	尚发兰	中国科学院昆明物理研究所	1	0	0.0	0.0
7	孙祥乐	中国科学院昆明物理研究所	1	0	0.0	0.0
8	陈冬琼	中国科学院昆明物理研究所	1	0	0.0	0.0
9	杨文运	中国科学院昆明物理研究所	1	0	0.0	0.0