硫族元素取代法制备原子层厚的MoS2-MoSe2平面异质结

• 作者: 郑遗凡 金传洪 高万冬 黄威
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 化学
• 关键词: 过渡金属硫族化合物 硫取代 扫描透射电子显微镜 平面异质结
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 706-710,745
• 页数: 6页
• 分类号: O649
• 语种: 中文
• DOI: 10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2020.05.003

摘要

本研究采用两步化学气相沉积法首先制备单层MoSe2材料,然后对其进行硫化,结合原子分辨环形暗场扫描透射电子显微镜(ADF-STEM)定量表征了不同硫化时间下样品中替代硫原子的分布.研究表明:硫原子取代优先发生在MoSe2晶畴边缘,形成MoS2-MoSe2异质结构,该异质界面进一步作为取代反应中心逐渐向MoSe2晶畴内部扩展,最终形成具有原子级平整界面的MoS2-MoSe2平面异质结.